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高温超导薄膜基片

晶体	结构	熔点(℃)	密度(g/cm³⁾	莫氏硬度	膨胀系数(X10^-6/K)	介电常数	生长方法	最大尺寸	标准外延抛光片（单，双抛）
铝酸镧 LaAlO₃	斜六面体(about cubic 立方) a=3.821埃	2100	6.52	6.5	9.2	24.5	提拉法	￠3"	￠3"X0.5mm ￠2"X0.5mm 10mmX10mmX0.5mm
LSAT	立方 a=3.868埃	1840	6.74	6.5	10	22	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
钛酸锶 SrTiO₃	立方 a=3.90埃	2050	5.175	6	10.4	300	焰熔法	￠30mm	10X10X0.5mm 10X5X0.5mm
氧化镁 MgO	立方 a=4.216埃	2852	3.58	5.5-6	12.8	9.8	弧熔法	50X50X20	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
氧化锆 YSZ	立方 c=5.125埃	2500	5.8	7	10.3	27	助溶剂法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
镓酸钕 NdGaO₃	正交 a=5.43埃 b=5.5埃 c=7.71埃	1600	7.57	6	7.8	25	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
铝酸锶镧	四方 a=3.756埃 c=12.63埃	1650	5.92	6	<100>10.05 <001>18.9	16.8	提拉法	￠20mm	10X10X0.5mm
铝酸钇	正交 a=5.3286埃 b=7.3706埃 c=5.1796埃	1870	5.37	8.5	4.2 //a 11.7 //b 5.1//c	/	提拉法	￠2"	10X10X0.5mm

磁性与铁电薄膜基片

晶体	结构	熔点(℃)	密度(g/cm³⁾	莫氏硬度	膨胀系数(X10^-6/K)	介电常数	生长方法	最大尺寸	标准外延抛光片（单，双抛）
铝酸镧 LaAlO₃	斜六面体(about cubic 立方) a=3.821埃	2100	6.52	6.5	9.2	24.5	提拉法	￠3"	￠3"X0.5mm ￠2"X0.5mm ￠1"X0.5mm 10mmX10mmX0.5mm
LSAT	立方 a=3.868埃	1840	6.74	6.5	10	22	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
钛酸锶 SrTiO₃	立方 a=3.90埃	2050	5.175	6	10.4	300	焰熔法	￠30mm	10X10X0.5mm 10X5X0.5mm
掺铌钛酸锶 Nb:SrTiO₃	立方 a=3.90埃	2050	5.175	6	/	/	焰熔法	￠25mm	10X10X0.5mm 10X5X0.5mm
白宝石 Al₂O₃	六方 a=4.758埃 c=12.99埃	2040	3.97	9	7.50	/	泡生法提拉法	￠180mm	￠2"X0.33mm ￠100X0.33mm 10X10X0.5mm
铝酸镁 MgAl₂O₄	立方 a=8.083埃	2130	3.6	7.5-8	7.45	/	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
GGG	立方 a=12.37埃	1860	7.05	6-7	/	/	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
TiO₂	四方 a=4.593埃 c=2.958埃	1840	4.26	7	/	/	浮区法	￠23-25	10X10X0.5mm 10X5X0.5mm

GaN 外延薄膜基片

晶体	结构	熔点(℃)	密度(g/cm³⁾	莫氏硬度	膨胀系数(X10^-6/K)	对GaN晶格失配率	生长方法	最大尺寸	标准外延抛光片（单，双抛）
白宝石 Al₂O₃	六方 a=4.758埃 c=12.99埃	2040	3.97	9	7.50	/	泡生法提拉法	￠180mm	￠2"X0.33mm ￠100X0.33mm 10X10X0.5mm
氧化镁 MgO	立方 a=4.216埃	2852	3.58	5.5-6	12.8	3%at<111> ori	弧熔法	50X50mm	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
LSAT	立方 a=3.868埃	1840	6.74	6.5	10	1%at<111> ori	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
铝酸锂 LiAlO₂	四方 a=5.17埃 c=6.26埃	1900	2.62	7.5	/	1.4%at<100> ori	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
铝酸镁 MgAl₂O₄	立方 a=8.083埃	2130	3.6	7.5-8	7.45	9%at<111> ori	提拉法	￠2"	￠2"X0.5mm 10X10X0.5mm
碳化硅 SiC	六方 a=3.080埃 c=15.12埃	2700	3.217	9.2	10.3	3%at<0001> ori	CVD	￠2"	10X10X0.3mm
氧化锌 ZnO	六方 a=3.325埃 c=5.213埃	1975	5.605	4.5	2.90	2.2%at<0001> ori	水热法	￠25.4mm	20X20X0.5mm
镓酸锂 LiGaO2	正方 a=5.406埃 a=5.012埃 c=6.379埃	1600	4.18	8	/	0.2%at<001> ori	提拉法	￠20mm	10X10X0.5mm

单一元素半导体基片

晶体	结构	熔点(℃)	密度(g/cm³)	导电类型	掺杂	电阻率 Ω.cm	生长方法	最大尺寸	标准外延抛光片（单，双抛）
硅 Si	立方 a=5.0430	1415	2.33	本征	非掺	10²-10⁴	CZ	￠8"	￠2"X0.5 ￠3"X0.5 ￠4"X0.5
				N	P	0.001-40
				P	B	0.001-40
锗 Ge	立方 a=5.6575	937.4	5.765	本征	非掺	>35	CZ	￠4"	￠2"X0.5 ￠3"X0.5 ￠4"X0.5
				N	Sb	0.05-35
				P	Ga	0.05-35

III-V半导体材料

晶体	结构	熔点(℃)	密度(g/cm³)	掺杂	导电类型	载流子浓度 CM ^-3	位错密度 CM^-2	生长方法	最大尺寸	标准外延抛光片（单，双抛）
磷化镓 GaP	立方	1480	4.13	umdoped	N	2-8X10¹⁷	<10⁵	LEC	￠50	￠2"X0.5
				S	N	2-6X10¹⁶
砷化镓 GaAs	立方 a=5.653	1238	5.13	None	Si	/	<5X10⁵	LEC or HB	￠3"	￠2"X0.5 ￠3"X0.5
				Si	N	>5X10¹⁷
				Cr	Si	/
				Te	N	-2X10¹⁸
				Zn	P	>5X10¹⁸
磷化铟 InP	立方 a=5.243	1062	6.719	None	N	1-2X10¹⁶	<5X10⁴	LEC	￠2"	￠2"X0.5
				Sn	N	1-3X10¹⁸
				S	N	1-4X10¹⁸
				Fe	Si	/
				Zn	P	6-4X10¹⁸

II-V族半导体

晶体	结构	熔点 (℃)	密度 (g/cm3)	热容 (J/g.k)	热膨胀系数 (10-6/K)	热导率 (W/m.k at 300K)	透过波长(U)	折射率	生长方法最大尺寸(mm)	应用
CdS	六方 P63mc a=4.1367 c=6.7161	1287	4.221	0.3814	4.6//a 2.5//c	2.7	0.52-14.8	1.708(o) 1.732(e)	PVD 25X25X15 X射线检测	连接器件，外延基片，蒸发源的晶体片
CdTe	立方 F43m a=6.483	1047	5.851	0.210	5.0	6.3	0.85-29.9	2.72	PVD 25X10X10	X射线检测，红外光学，外延基片，蒸发源的晶振片
ZnSe	立方 F43m a=5.6685	1517	5.664	0.339	7.1	13	0.51-19.0	2.5	PVD	CO2激光器的红外光学，透镜，窗口，分束器，外延基片，蒸发源的晶体片
ZnO	六方 P63mc a=3.325 c=5.213	1975	5.605	0.125	6.5//a 3.7//c	30	0.4-0.6	1.922(o) 1.936(e)	水热法 20X20X10	GaN(蓝色LED)外延片，宽波段连接器件

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